制造商产品编号:
RQ3E100MNTB1
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
RQ3E100MNTB1-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
详细描述:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
库存:
5261 件 新原装 现货
13080437
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RQ3E100MNTB1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
10A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
9.9 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
520 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-HSMT (3.2x3)
包装 / 外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
RQ3E100
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
RQ3E100MNTB1CT
RQ3E100MNTB1DKR
RQ3E100MNTB1TR
846-RQ3E100MNTB1TR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
RQ3E100MNTB1
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
5261
部件编号
RQ3E100MNTB1-DG
单价
0.40
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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