SPA11N80C3XKSA1
制造商产品编号:

SPA11N80C3XKSA1

Product Overview

制造商:

Infineon Technologies

零件编号:

SPA11N80C3XKSA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
详细描述:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31

库存:

2180 件 新原装 现货
12806736
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SPA11N80C3XKSA1 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
Tube
系列
CoolMOS™
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
800 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
11A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.9V @ 680µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
34W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
PG-TO220-3-31
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
SPA11N80

数据表和文档

附加信息

标准套餐
50
其他名称
SPA11N80C3
SPA1-DG1N80C3XKSA1-DG
SP000216320
SPA11N80C3XK
SPA1-ND1N80C3XKSA1
SPA11N80C3IN-DG
SPA11N80C3X
SPA11N80C3XTIN-DG
SPA11N80C3XTIN
SPA11N80C3XKSA1-DG
SPA11N80C3IN-NDR
448-SPA11N80C3XKSA1
SPA11N80C3IN

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STF13N80K5
制造商
STMicroelectronics
可用数量
1058
部件编号
STF13N80K5-DG
单价
1.65
替代类型
MFR Recommended
零件编号
TK10A60W5,S5VX
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
0
部件编号
TK10A60W5,S5VX-DG
单价
0.77
替代类型
MFR Recommended
零件编号
STF11N65M5
制造商
STMicroelectronics
可用数量
4
部件编号
STF11N65M5-DG
单价
0.83
替代类型
MFR Recommended
零件编号
STF11NM80
制造商
STMicroelectronics
可用数量
966
部件编号
STF11NM80-DG
单价
2.95
替代类型
MFR Recommended
零件编号
STF11N60DM2
制造商
STMicroelectronics
可用数量
2966
部件编号
STF11N60DM2-DG
单价
0.70
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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