制造商产品编号:
SPA11N80C3XKSA1
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
SPA11N80C3XKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
详细描述:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
库存:
2180 件 新原装 现货
12806736
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SPA11N80C3XKSA1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
Tube
系列
CoolMOS™
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
800 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
11A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.9V @ 680µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1600 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
34W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
PG-TO220-3-31
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
SPA11N80
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
SPA11N80C3
SPA1-DG1N80C3XKSA1-DG
SP000216320
SPA11N80C3XK
SPA1-ND1N80C3XKSA1
SPA11N80C3IN-DG
SPA11N80C3X
SPA11N80C3XTIN-DG
SPA11N80C3XTIN
SPA11N80C3XKSA1-DG
SPA11N80C3IN-NDR
448-SPA11N80C3XKSA1
SPA11N80C3IN
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK10A60W5,S5VX
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
0
部件编号
TK10A60W5,S5VX-DG
单价
0.77
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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