制造商产品编号:
QS8M31TR
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
QS8M31TR-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
详细描述:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
库存:
3630 件 新原装 现货
13526109
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QS8M31TR 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
60V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
3A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
功率 - 最大值
1.1W (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SMD, Flat Lead
供应商设备包
TSMT8
基本产品编号
QS8M31
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
QS8M31DKR
QS8M31CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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