QS8J4TR
制造商产品编号:

QS8J4TR

Product Overview

制造商:

Rohm Semiconductor

零件编号:

QS8J4TR-DG

描述:

MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
详细描述:
Mosfet Array 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8

库存:

8078 件 新原装 现货
13526152
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

QS8J4TR 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 10V
功率 - 最大值
550mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SMD, Flat Lead
供应商设备包
TSMT8
基本产品编号
QS8J4

数据表和文档

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
QS8J4CT
QS8J4DKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
相关产品
rohm-semi

QH8M22TCR

MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8

rohm-semi

US6M2GTR

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

rohm-semi

QS8M13TCR

MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

rohm-semi

SP8K3FU6TB

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP