制造商产品编号:
US6M2GTR
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
US6M2GTR-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
详细描述:
Mosfet Array 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
库存:
13526172
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US6M2GTR 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
30V, 20V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.5A, 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
80pF @ 10V, 150pF @ 10V
功率 - 最大值
1W
工作温度
150°C
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-SMD, Flat Leads
供应商设备包
TUMT6
基本产品编号
US6M2
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
US6M2GDKR
US6M2GCT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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