制造商产品编号:
HP8S36TB
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
HP8S36TB-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
详细描述:
Mosfet Array 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP
库存:
13525387
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HP8S36TB 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Not For New Designs
科技
-
配置
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
27A, 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
47nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
6100pF @ 15V
功率 - 最大值
29W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
供应商设备包
8-HSOP
基本产品编号
HP8S36
数据表和文档
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
HP8S36TBDKR
HP8S36TBTR
HP8S36TBCT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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