制造商产品编号:
US6M11TR
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
US6M11TR-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
详细描述:
Mosfet Array 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount TUMT6
库存:
13750 件 新原装 现货
13525404
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US6M11TR 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
20V, 12V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.5A, 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
110pF @ 10V
功率 - 最大值
1W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-SMD, Flat Leads
供应商设备包
TUMT6
基本产品编号
US6M11
数据表和文档
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
US6M11CT
US6M11DKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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