制造商产品编号:
HP8ME5TB1
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
HP8ME5TB1-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP
详细描述:
Mosfet Array 100V 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
库存:
1193 件 新原装 现货
12787955
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HP8ME5TB1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Standard
漏源电压 （Vdss）
100V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
90pF @ 50V, 590pF @ 50V
功率 - 最大值
3W (Ta), 20W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
供应商设备包
8-HSOP
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
846-HP8ME5TB1DKR
846-HP8ME5TB1CT
846-HP8ME5TB1TR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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