制造商产品编号:
HT8KE6TB1
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
HT8KE6TB1-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
详细描述:
Mosfet Array 100V 4.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
库存:
4000 件 新原装 现货
12787956
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HT8KE6TB1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel
FET 特性
Standard
漏源电压 （Vdss）
100V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.7nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
305pF @ 50V
功率 - 最大值
2W (Ta), 14W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-PowerVDFN
供应商设备包
8-HSMT (3.2x3)
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
846-HT8KE6TB1DKR
846-HT8KE6TB1CT
846-HT8KE6TB1TR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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