制造商产品编号:
NTMJS1D6N06CLTWG
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NTMJS1D6N06CLTWG-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 38A (Ta), 250A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
库存:
12844922
请求报价
数量
最低1
最低1
GdX8
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
NTMJS1D6N06CLTWG 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
38A (Ta), 250A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.36mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
6660 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.8W (Ta), 167W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-LFPAK
包装 / 外壳
SOT-1205, 8-LFPAK56
基本产品编号
NTMJS1
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
NTMJS1D6N06CLTWGOSCT
NTMJS1D6N06CLTWGOSTR
NTMJS1D6N06CLTWGOSDKR
NTMJS1D6N06CLTWG-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
NVMJS1D6N06CLTWG
制造商
onsemi
可用数量
2930
部件编号
NVMJS1D6N06CLTWG-DG
单价
1.13
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
相关产品
SVD5867NLT4G
MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
AO7400L
MOSFET N-CH 30V SC70-3
AON7220
MOSFET N-CH 25V 37A/50A 8DFN
