制造商产品编号:
SVD5867NLT4G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
SVD5867NLT4G-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
详细描述:
N-Channel 60 V 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK-3
库存:
6925 件 新原装 现货
12844923
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SVD5867NLT4G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
22A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
675 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.3W (Ta), 43W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
DPAK-3
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
SVD5867
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
2156-SVD5867NLT4G-OS
NVD5867NLT4GOSCT
NVD5867NLT4GOSDKR
SVD5867NLT4GOSTR
SVD5867NLT4GOSDKR
SVD5867NLT4GOSCT
NVD5867NLT4GOSCT-DG
NVD5867NLT4GOSDKR-DG
ONSONSSVD5867NLT4G
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
PJD25N06A-AU_L2_000A1
制造商
Panjit International Inc.
可用数量
737
部件编号
PJD25N06A-AU_L2_000A1-DG
单价
0.23
替代类型
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