NTLGD3502NT1G
制造商产品编号:

NTLGD3502NT1G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NTLGD3502NT1G-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
详细描述:
Mosfet Array 20V 4.3A, 3.6A 1.74W Surface Mount 6-DFN (3x3)

库存:

12840226
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NTLGD3502NT1G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
4.3A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 10V
功率 - 最大值
1.74W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-VDFN Exposed Pad
供应商设备包
6-DFN (3x3)
基本产品编号
NTLGD35

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
NTLGD3502NT1GOSTR
2156-NTLGD3502NT1G
NTLGD3502NT1G-DG
2156-NTLGD3502NT1G-ONTR-DG
ONSONSNTLGD3502NT1G

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
PMDPB30XN,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
686
部件编号
PMDPB30XN,115-DG
单价
0.10
替代类型
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