制造商产品编号:
NTLGD3502NT1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NTLGD3502NT1G-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
详细描述:
Mosfet Array 20V 4.3A, 3.6A 1.74W Surface Mount 6-DFN (3x3)
库存:
12840226
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NTLGD3502NT1G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
20V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4.3A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
4nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
480pF @ 10V
功率 - 最大值
1.74W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-VDFN Exposed Pad
供应商设备包
6-DFN (3x3)
基本产品编号
NTLGD35
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
NTLGD3502NT1GOSTR
2156-NTLGD3502NT1G
NTLGD3502NT1G-DG
2156-NTLGD3502NT1G-ONTR-DG
ONSONSNTLGD3502NT1G
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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