制造商产品编号:
PMDPB30XN,115
Product Overview
制造商:
Nexperia USA Inc.
零件编号:
PMDPB30XN,115-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
详细描述:
Mosfet Array 20V 4A 490mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
库存:
686 件 新原装 现货
12829125
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PMDPB30XN,115 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Nexperia
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
20V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
900mV @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
21.7nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
660pF @ 10V
功率 - 最大值
490mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-UFDFN Exposed Pad
供应商设备包
6-HUSON (2x2)
基本产品编号
PMDPB30
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
PMDPB30XN,115-DG
5202-PMDPB30XN,115TR
568-10756-6
568-10756-6-DG
1727-1328-6
568-10756-2
934066581115
1727-1328-2
568-10756-2-DG
1727-1328-1
568-10756-1
568-10756-1-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
数字证书
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