制造商产品编号:
NTD32N06G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NTD32N06G-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) Surface Mount DPAK
库存:
12860063
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
NTD32N06G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
32A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1725 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
DPAK
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
NTD32
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
75
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPD25N06S4L30ATMA2
制造商
Infineon Technologies
可用数量
16688
部件编号
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
单价
0.36
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
2SK3943-ZP-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO263
IRFH8324TRPBF
MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
HAT2168H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK