制造商产品编号:
NVD4805NT4G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NVD4805NT4G-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK
详细描述:
N-Channel 30 V 12.7A (Ta), 95A (Tc) 1.41W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount DPAK
库存:
12860083
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
NVD4805NT4G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
12.7A (Ta), 95A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
48 nC @ 11.5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2865 pF @ 12 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.41W (Ta), 79W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
DPAK
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
NVD480
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPD040N03LGATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
281
部件编号
IPD040N03LGATMA1-DG
单价
0.41
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
NTB30N20G
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
NP110N04PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
NTP082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3