制造商产品编号:
NTB110N65S3HF
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NTB110N65S3HF-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
详细描述:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 240W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
库存:
12856617
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NTB110N65S3HF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FRFET®, SuperFET® III
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
30A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 740µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2635 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
240W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
NTB110
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
800
其他名称
NTB110N65S3HFOSTR
NTB110N65S3HFOSDKR
NTB110N65S3HFOSCT
2156-NTB110N65S3HF
NTB110N65S3HF-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPB60R120P7ATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
2950
部件编号
IPB60R120P7ATMA1-DG
单价
1.47
替代类型
Similar
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IPB65R110CFDAATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
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单价
3.53
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