制造商产品编号:
STB34NM60ND
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
STB34NM60ND-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
库存:
12874021
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STB34NM60ND 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FDmesh™ II
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
29A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2785 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
190W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
STB34
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
497-12237-6
497-12237-2
497-12237-1
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPB60R099CPAATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
700
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单价
4.17
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