NSBA114TDXV6T1
制造商产品编号:

NSBA114TDXV6T1

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NSBA114TDXV6T1-DG

描述:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

库存:

12843776
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NSBA114TDXV6T1 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列,预偏置
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基座 (R1)
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)
-
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 过渡
-
功率 - 最大值
500mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-563
基本产品编号
NSBA114

附加信息

标准套餐
4,000
其他名称
2156-NSBA114TDXV6T1-ONTR-DG
2156-NSBA114TDXV6T1
NSBA114TDXV6TOSTR
ONSONSNSBA114TDXV6T1

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
EMB4T2R
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
0
部件编号
EMB4T2R-DG
单价
0.07
替代类型
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可用数量
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单价
0.04
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