制造商产品编号:
NSBA114TDXV6T1
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NSBA114TDXV6T1-DG
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
库存:
12843776
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
NSBA114TDXV6T1 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
-
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
-
功率 - 最大值
500mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-563
基本产品编号
NSBA114
附加信息
标准套餐
4,000
其他名称
2156-NSBA114TDXV6T1-ONTR-DG
2156-NSBA114TDXV6T1
NSBA114TDXV6TOSTR
ONSONSNSBA114TDXV6T1
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
RN2911FE(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
3975
部件编号
RN2911FE(TE85L,F)-DG
单价
0.04
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
DMA961010R
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
MUN5130DW1T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
NSVMUN531335DW1T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
