制造商产品编号:
EMB4T2R
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
EMB4T2R-DG
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
库存:
13522782
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EMB4T2R 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
-
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
-
频率 - 过渡
250MHz
功率 - 最大值
150mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
EMT6
基本产品编号
EMB4T2
数据表和文档
附加信息
标准套餐
8,000
其他名称
EMB4T2RCT
EMB4T2RDKR
EMB4T2RTR
EMB4T2R-ND
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
RN2911FE(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
3975
部件编号
RN2911FE(TE85L,F)-DG
单价
0.04
替代类型
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