EMB4T2R
制造商产品编号:

EMB4T2R

Product Overview

制造商:

Rohm Semiconductor

零件编号:

EMB4T2R-DG

描述:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

库存:

13522782
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

EMB4T2R 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列,预偏置
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基座 (R1)
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)
-
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
-
频率 - 过渡
250MHz
功率 - 最大值
150mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
EMT6
基本产品编号
EMB4T2

数据表和文档

附加信息

标准套餐
8,000
其他名称
EMB4T2RCT
EMB4T2RDKR
EMB4T2RTR
EMB4T2R-ND

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
RN2911FE(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
3975
部件编号
RN2911FE(TE85L,F)-DG
单价
0.04
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
rohm-semi

EMB6T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMA11T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5

rohm-semi

EMD53T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMG1T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5