MUN2112T1G
制造商产品编号:

MUN2112T1G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

MUN2112T1G-DG

描述:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59

库存:

11998 件 新原装 现货
12852515
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MUN2112T1G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50 V
电阻器 - 基座 (R1)
22 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)
22 kOhms
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
功率 - 最大值
230 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SC-59
基本产品编号
MUN2112

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
ONSONSMUN2112T1G
MUN2112T1GOSCT
2832-MUN2112T1G
2156-MUN2112T1G-OS
MUN2112T1GOSDKR
MUN2112T1GOSTR
MUN2112T1G-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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