制造商产品编号:
MJD112-1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
MJD112-1G-DG
描述:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
库存:
153 件 新原装 现货
12853107
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MJD112-1G 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN - Darlington
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
2 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
100 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
3V @ 40mA, 4A
电流 - 集电极截止（最大值）
20µA
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
1000 @ 2A, 3V
功率 - 最大值
1.75 W
频率 - 过渡
25MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商设备包
I-PAK
基本产品编号
MJD112
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
75
其他名称
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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