制造商产品编号:
MSA1162GT1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
MSA1162GT1G-DG
描述:
TRANS PNP 50V 0.1A SC59
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW Surface Mount SC-59
库存:
2062 件 新原装 现货
12853120
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MSA1162GT1G 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
500mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 2mA, 6V
功率 - 最大值
200 mW
频率 - 过渡
80MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SC-59
基本产品编号
MSA1162
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
2156-MSA1162GT1G-OS
MSA1162GT1GOS-DG
MSA1162GT1GOSTR
MSA1162GT1GOSCT
MSA1162GT1GOSDKR
ONSONSMSA1162GT1G
=MSA1162GT1GOSCT-DG
MSA1162GT1GOS
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
BC857BE6327HTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
27043
部件编号
BC857BE6327HTSA1-DG
单价
0.03
替代类型
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Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
1431
部件编号
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单价
0.02
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