制造商产品编号:
KSD526YTU
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
KSD526YTU-DG
描述:
TRANS NPN 80V 4A TO220-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 8MHz 30 W Through Hole TO-220-3
库存:
12933945
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KSD526YTU 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
4 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
80 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1.5V @ 300mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大值）
30µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
120 @ 500mA, 5V
功率 - 最大值
30 W
频率 - 过渡
8MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220-3
基本产品编号
KSD526
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
2832-KSD526YTU
2166-KSD526YTU-488
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
2N6123 PBFREE
制造商
Central Semiconductor Corp
可用数量
449
部件编号
2N6123 PBFREE-DG
单价
1.30
替代类型
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