KSD526Y
制造商产品编号:

KSD526Y

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

KSD526Y-DG

描述:

TRANS NPN 80V 4A TO220-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 8MHz 30 W Through Hole TO-220-3

库存:

1054 件 新原装 现货
12840251
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KSD526Y 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Last Time Buy
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
4 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
80 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1.5V @ 300mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大值)
30µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 5V
功率 - 最大值
30 W
频率 - 过渡
8MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220-3
基本产品编号
KSD526

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
200
其他名称
2832-KSD526Y

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
2N6123 PBFREE
制造商
Central Semiconductor Corp
可用数量
449
部件编号
2N6123 PBFREE-DG
单价
1.30
替代类型
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