G785-BSS123
制造商产品编号:

G785-BSS123

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

G785-BSS123-DG

描述:

MOSFET N-CH SOT23
详细描述:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

库存:

12974921
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

G785-BSS123 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
73 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
360mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3 (TO-236)
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
488-G785-BSS123TR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
BSS123
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
可用数量
143884
部件编号
BSS123-DG
单价
0.01
替代类型
MFR Recommended
数字证书
相关产品
onsemi

NVTYS008N06CLTWG

T6 60V N-CH LL IN LFPAK33

infineon-technologies

IPT039N15N5ATMA1

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

nexperia

PH7730DLX

MOSFET N-CH 30V LFPAK

onsemi

NVTFWS027N10MCLTAG

PTNG 100V LL U8FL