制造商产品编号:
BSS123
Product Overview
制造商:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
零件编号:
BSS123-DG
描述:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
详细描述:
N-Channel 100 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
库存:
143884 件 新原装 现货
12988660
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BSS123 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Anbon Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
200mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
1.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
14 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
350mW (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
4530-BSS123TR
4530-BSS123CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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