制造商产品编号:
FQU20N06LTU
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQU20N06LTU-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 17.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Through Hole I-PAK
库存:
3741 件 新原装 现货
12847341
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FQU20N06LTU 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
17.2A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
630 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 38W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
I-PAK
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
FQU20N06
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
70
其他名称
2832-FQU20N06LTU
FQU20N06LTU-DG
2156-FQU20N06LTU-488
FQU20N06LTUFS
FQU20N06LTUFS-DG
FQU20N06LTUOS
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TSM900N06CH X0G
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用数量
48855
部件编号
TSM900N06CH X0G-DG
单价
0.18
替代类型
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