FQU20N06LTU
制造商产品编号:

FQU20N06LTU

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQU20N06LTU-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 17.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Through Hole I-PAK

库存:

3741 件 新原装 现货
12847341
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FQU20N06LTU 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
17.2A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
630 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
I-PAK
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
FQU20N06

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
70
其他名称
2832-FQU20N06LTU
FQU20N06LTU-DG
2156-FQU20N06LTU-488
FQU20N06LTUFS
FQU20N06LTUFS-DG
FQU20N06LTUOS

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
AOI444
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用数量
0
部件编号
AOI444-DG
单价
0.23
替代类型
Similar
零件编号
STD12NF06L-1
制造商
STMicroelectronics
可用数量
1913
部件编号
STD12NF06L-1-DG
单价
0.25
替代类型
Similar
零件编号
FQD30N06TM
制造商
onsemi
可用数量
0
部件编号
FQD30N06TM-DG
单价
0.38
替代类型
MFR Recommended
零件编号
TSM900N06CH X0G
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用数量
48855
部件编号
TSM900N06CH X0G-DG
单价
0.18
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

FDP5N50NZ

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3

onsemi

FQD19N10TM

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

onsemi

FDC697P

MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6

onsemi

FDN327N

MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3