制造商产品编号:
FQD30N06TM
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQD30N06TM-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252
详细描述:
N-Channel 60 V 22.7A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA
库存:
12849055
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FQD30N06TM 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
QFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
22.7A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
945 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 44W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FQD30N06
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FQD30N06TM-DG
FQD30N06TMCT
FQD30N06TMDKR
FQD30N06TMTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
1594
部件编号
TK8S06K3L(T6L1,NQ)-DG
单价
0.42
替代类型
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