制造商产品编号:
FQD5N20LTM
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQD5N20LTM-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
详细描述:
N-Channel 200 V 3.8A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount TO-252AA
库存:
12847039
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FQD5N20LTM 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Cut Tape (CT)
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
3.8A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.2 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
325 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 37W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FQD5N20
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FQD5N20LTMDKR
FQD5N20LTMCT
FQD5N20LTMTR
FQD5N20LTM-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
HUFA75637S3ST
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
FDD120AN15A0
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
AOI516
MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
