制造商产品编号:
FQD12N20LTM
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQD12N20LTM-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
详细描述:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
库存:
4955 件 新原装 现货
12846613
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FQD12N20LTM 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
QFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
9A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 55W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FQD12N20
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FQD12N20LTMCT
FQD12N20LTMDKR
FQD12N20LTMTR
FQD12N20LTM-DG
2156-FQD12N20LTM-488
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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