FQA47P06
制造商产品编号:

FQA47P06

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQA47P06-DG

描述:

MOSFET P-CH 60V 55A TO3P
详细描述:
P-Channel 60 V 55A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3P

库存:

12850953
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FQA47P06 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
55A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±25V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
214W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-3P
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
基本产品编号
FQA4

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
30

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IXTH52P10P
制造商
IXYS
可用数量
179
部件编号
IXTH52P10P-DG
单价
4.03
替代类型
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