制造商产品编号:
FDFME2P823ZT
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDFME2P823ZT-DG
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
详细描述:
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
库存:
12850955
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FDFME2P823ZT 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.6A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
405 pF @ 10 V
FET 特性
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散（最大值）
1.4W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
6-MicroFET (1.6x1.6)
包装 / 外壳
6-UFDFN Exposed Pad
基本产品编号
FDFME2
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
5,000
其他名称
FDFME2P823ZTDKR
FDFME2P823ZTCT
FDFME2P823ZT-DG
FDFME2P823ZTTR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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