FDS8672S
制造商产品编号:

FDS8672S

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDS8672S-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
详细描述:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

库存:

2293 件 新原装 现货
12848041
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FDS8672S 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®, SyncFET™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
18A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
2670 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SOIC
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本产品编号
FDS8672

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
FDS8672SCT
FDS8672STR
FDS8672SDKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IRF8736TRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
11359
部件编号
IRF8736TRPBF-DG
单价
0.22
替代类型
Similar
零件编号
IRF7832TRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
13071
部件编号
IRF7832TRPBF-DG
单价
0.57
替代类型
Similar
零件编号
FDS8638
制造商
onsemi
可用数量
9207
部件编号
FDS8638-DG
单价
0.62
替代类型
Direct
零件编号
SQ4182EY-T1_GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
8137
部件编号
SQ4182EY-T1_GE3-DG
单价
0.55
替代类型
Similar
零件编号
AO4430
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用数量
8910
部件编号
AO4430-DG
单价
0.33
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

FDP5N60NZ

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3

infineon-technologies

IPAN60R650CEXKSA1

MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220

onsemi

FQB6N60CTM

MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK

onsemi

FDS3692

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC