FQB6N60CTM
制造商产品编号:

FQB6N60CTM

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQB6N60CTM-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

库存:

12848047
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FQB6N60CTM 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
FQB6

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
800

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STB4NK60ZT4
制造商
STMicroelectronics
可用数量
4369
部件编号
STB4NK60ZT4-DG
单价
0.77
替代类型
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