FDS6680
制造商产品编号:

FDS6680

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDS6680-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
详细描述:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

库存:

12839088
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FDS6680 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
2070 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SOIC
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本产品编号
FDS66

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
FDS6680DKR
FDS6680CT
FDS6680TR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IRF7821TRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
16602
部件编号
IRF7821TRPBF-DG
单价
0.37
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