制造商产品编号:
FDS6680A
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDS6680A-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
详细描述:
N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
库存:
2496 件 新原装 现货
12836900
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDS6680A 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
12.5A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
23 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1620 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SOIC
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本产品编号
FDS6680
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FDS6680ACT-NDR
FDS6680ACT
FDS6680ATR
FDS6680ADKR
FDS6680ATR-NDR
2832-FDS6680ATR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
BSO110N03MSGXUMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
7364
部件编号
BSO110N03MSGXUMA1-DG
单价
0.32
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
FDMS8320LDC
MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
FQB19N20CTM
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
FQB13N06TM
MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
