FDMS9600S
制造商产品编号:

FDMS9600S

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDMS9600S-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56
详细描述:
Mosfet Array 30V 12A, 16A 1W Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56

库存:

12838648
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FDMS9600S 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1705pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-PowerWDFN
供应商设备包
8-MLP (5x6), Power56
基本产品编号
FDMS9600

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
FDMS9600SCT
FDMS9600STR
FDMS9600SDKR
2832-FDMS9600S

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
CSD16410Q5A
制造商
Texas Instruments
可用数量
2506
部件编号
CSD16410Q5A-DG
单价
0.27
替代类型
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CSD16404Q5A
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Texas Instruments
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单价
0.36
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