FDR8305N
制造商产品编号:

FDR8305N

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDR8305N-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SUPERSOT-8
详细描述:
Mosfet Array 20V 4.5A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8

库存:

12838663
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FDR8305N 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
供应商设备包
SuperSOT™-8
基本产品编号
FDR83

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
FDS6890A
制造商
onsemi
可用数量
0
部件编号
FDS6890A-DG
单价
0.52
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