制造商产品编号:
FDMC2610
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDMC2610-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
详细描述:
N-Channel 200 V 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
库存:
5348 件 新原装 现货
12847165
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDMC2610 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
UniFET™
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
960 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 42W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-MLP (3.3x3.3)
包装 / 外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
FDMC26
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
FDMC2610DKR
FDMC2610TR
2156-FDMC2610-OS
FDMC2610CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
NTGS3433T1G
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
FDS6609A
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
FDP036N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
