制造商产品编号:
FDS6609A
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDS6609A-DG
描述:
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
详细描述:
P-Channel 30 V 6.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
库存:
12847168
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDS6609A 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6.3A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
930 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SOIC
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本产品编号
FDS66
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
FDP036N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
CPH6350-P-TL-E
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
NTD110N02R-001G
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
