FDFMA2P853
制造商产品编号:

FDFMA2P853

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDFMA2P853-DG

描述:

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
详细描述:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

库存:

12850476
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FDFMA2P853 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
20 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
3A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±8V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 10 V
FET 特性
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(最大值)
1.4W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
6-MicroFET (2x2)
包装 / 外壳
6-VDFN Exposed Pad
基本产品编号
FDFMA2

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
FDFMA2P853DKR-DG
2156-FDFMA2P853-OS
FDFMA2P853FSCT
FAIFSCFDFMA2P853
FDFMA2P853CT-DG
FDFMA2P853TR
FDFMA2P853FSTR
FDFMA2P853TR-DG
FDFMA2P853FSDKR
2832-FDFMA2P853TR
FDFMA2P853DKR
FDFMA2P853CT

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
PMDPB80XP,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
0
部件编号
PMDPB80XP,115-DG
单价
0.10
替代类型
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零件编号
NTLJF3117PT1G
制造商
onsemi
可用数量
20724
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单价
0.13
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