FQP8N90C
制造商产品编号:

FQP8N90C

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQP8N90C-DG

描述:

MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
详细描述:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 171W (Tc) Through Hole TO-220-3

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FQP8N90C 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
900 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6.3A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2080 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
171W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FQP8

数据表和文档

数据表
FQPF8N90C Datasheet

附加信息

标准套餐
1,000

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STP6NK90Z
制造商
STMicroelectronics
可用数量
990
部件编号
STP6NK90Z-DG
单价
1.41
替代类型
Similar
零件编号
IXTP6N100D2
制造商
IXYS
可用数量
395
部件编号
IXTP6N100D2-DG
单价
4.59
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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