制造商产品编号:
FDC6020C
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDC6020C-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
详细描述:
Mosfet Array 20V 5.9A, 4.2A 1.2W Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP
库存:
12847291
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDC6020C 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
20V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
5.9A, 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
8nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
677pF @ 10V
功率 - 最大值
1.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
供应商设备包
SuperSOT™-6 FLMP
基本产品编号
FDC6020
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
FDC6020CDKR
FDC6020C_NL
FDC6020C_NLTR-DG
FDC6020CCT-NDR
FDC6020C_NLCT
FDC6020C_NLCT-DG
FDC6020CTR
FDC6020CCT
FDC6020CTR-NDR
FDC6020C_NLTR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
FDMA1025P
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
FDS8333C
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A 8SOIC
FDC6420C
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
