制造商产品编号:
FDS8333C
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDS8333C-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 30V 4.1A, 3.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
库存:
12847296
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FDS8333C 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4.1A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.6nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
282pF @ 10V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
8-SOIC
基本产品编号
FDS83
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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