制造商产品编号:
FDB045AN08A0
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDB045AN08A0-DG
描述:
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
详细描述:
N-Channel 75 V 19A (Ta), 90A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
库存:
600 件 新原装 现货
12835711
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FDB045AN08A0 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
75 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
19A (Ta), 90A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
6600 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
310W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
FDB045
数据表和文档
附加信息
标准套餐
800
其他名称
ONSONSFDB045AN08A0
FDB045AN08A0DKR
FDB045AN08A0CT
2832-FDB045AN08A0
FDB045AN08A0TR
2156-FDB045AN08A0-OS
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPB054N08N3GATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
2888
部件编号
IPB054N08N3GATMA1-DG
单价
0.74
替代类型
Similar
零件编号
IRFS3607TRLPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
24577
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单价
0.56
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