FCPF11N60F
制造商产品编号:

FCPF11N60F

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FCPF11N60F-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3

库存:

998 件 新原装 现货
12846041
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FCPF11N60F 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
SuperFET™
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
11A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
36W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220F-3
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
FCPF11

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
50

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
R6007ENX
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
129
部件编号
R6007ENX-DG
单价
0.92
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替代类型
Parametric Equivalent
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