制造商产品编号:
FCP25N60N-F102
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCP25N60N-F102-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
详细描述:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-220-3
库存:
12851380
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FCP25N60N-F102 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
SupreMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
25A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
216W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FCP25N60
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
800
其他名称
2832-FCP25N60N-F102-488
FCP25N60NF102
2832-FCP25N60N-F102
FCP25N60N_F102
FCP25N60N_F102-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
AOT42S60L
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用数量
16990
部件编号
AOT42S60L-DG
单价
2.63
替代类型
Similar
零件编号
AOTF42S60L
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用数量
1270
部件编号
AOTF42S60L-DG
单价
2.89
替代类型
Similar
零件编号
IPP60R125CPXKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
4944
部件编号
IPP60R125CPXKSA1-DG
单价
3.00
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
BSC046N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
FDS4672A
MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
FQNL1N50BBU
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
