制造商产品编号:
IPP60R125CPXKSA1
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
IPP60R125CPXKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
库存:
4944 件 新原装 现货
12804301
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IPP60R125CPXKSA1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
Tube
系列
CoolMOS™
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
25A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 1.1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2500 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
208W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
PG-TO220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP60R125
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
2156-IPP60R125CPXKSA1
IPP60R125CPX
IPP60R125CP-DG
IPP60R125CPXK
IPP60R125CP
SP000088488
INFINFIPP60R125CPXKSA1
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
AOT42S60L
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用数量
16990
部件编号
AOT42S60L-DG
单价
2.63
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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