制造商产品编号:
FCH072N60F
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCH072N60F-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
详细描述:
N-Channel 600 V 52A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247-3
库存:
23880 件 新原装 现货
12839479
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FCH072N60F 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
FRFET®, SuperFET® II
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
52A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
8660 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
481W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-3
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
FCH072
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
30
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK35N65W5,S1F
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
26
部件编号
TK35N65W5,S1F-DG
单价
4.37
替代类型
Similar
零件编号
TK35N65W,S1F
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
15
部件编号
TK35N65W,S1F-DG
单价
3.78
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
IRFN214BTA_FP001
MOSFET N-CH 250V 600MA TO92-3
FCH043N60
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
FDPF12N50NZ
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
