FCH070N60E
制造商产品编号:

FCH070N60E

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FCH070N60E-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 52A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 52A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247-3

库存:

473 件 新原装 现货
12851346
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FCH070N60E 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
SuperFET® II
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
52A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
4925 pF @ 380 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
481W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-3
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
FCH070

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
30
其他名称
FCH070N60E-DG
FCH070N60EOS

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IXFX64N60P
制造商
IXYS
可用数量
911
部件编号
IXFX64N60P-DG
单价
13.25
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